技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 300 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 52A
技术参数/上升时间: 29 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2845pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 22 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRF5210PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF5210PBF
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Infineon | 功能相似 | TO-220 |
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF5210SPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
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IRF5210SPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
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IRF5210STRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
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IRF5210STRLPBF
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Infineon | 功能相似 | TO-263 |
INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
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