技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 225 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 30 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.3A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10000 @100mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 225 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/增益带宽: 125MHz (Min)
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1.01 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA13LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
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