技术参数/额定电压(DC): 12.0 V
技术参数/额定电流: 60.0 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 500 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 12 V
技术参数/增益: 10dB ~ 18.5dB
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 30 @10mA, 8V
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: Micro-X
外形尺寸/封装: Micro-X
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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HP (惠普) | 功能相似 |
RF Bipolar Transistor
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AT-41435G
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Broadcom (博通) | 类似代替 | Micro-X |
Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X
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AT-41435G
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AVAGO Technologies (安华高科) | 类似代替 | Micro-X |
Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X
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MRF951
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Advanced Semiconductor | 功能相似 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), L Band, Silicon, NPN
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