技术参数/漏源极电阻: 0.019 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 100 W
技术参数/输入电容: 1970pF @30V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 1970pF @30V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.25W (Ta), 100W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.51 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SUP60N06-12P-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TO-220 |
Mosfet, Power; 60V; 60A; Power, 100W; R(ds), 0.012Ω; Halogen-Free; TO-220AB
|
||
SUP60N06-12P-GE3
|
VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-220-3 |
Mosfet, Power; 60V; 60A; Power, 100W; R(ds), 0.012Ω; Halogen-Free; TO-220AB
|
||
|
|
Vishay Intertechnology | 完全替代 | TO-220-3 |
Mosfet, Power; 60V; 60A; Power, 100W; R(ds), 0.012Ω; Halogen-Free; TO-220AB
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价