技术参数/耗散功率: 3.75W (Ta), 300W (Tc)
技术参数/输入电容(Ciss): 6290pF @50V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.65 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRFS4410Z
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
|
||
BUK768R1-100E
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-404 |
N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
|
||
IRF540N
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
TO-220AB N-CH 100V 33A
|
||
IRFS4410ZPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRFS4410ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 7.2 mohm, 10 V, 4 V
|
||
SUM90N08-4M8P-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
|
|||
|
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-263 |
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价