技术参数/漏源极电阻: 0.036 Ω
技术参数/耗散功率: 136 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/输入电容(Ciss): 4600pF @50V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -50 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1043
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Vishay Intertechnology | 功能相似 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 430ohm, 400V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
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SUD50P10-43-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
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SUD50P10-43-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
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SUD50P10-43L-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252-2 |
Power Field-Effect Transistor, 36.4A I(D), 100V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
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SUD50P10-43L-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-2 |
Power Field-Effect Transistor, 36.4A I(D), 100V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
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