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型号： SUM90N10-8M2P-E3
描述： VISHAY SUM90N10-8M2P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.5 V
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： TO-263
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
8.14  元 8.14元
10+:
￥ 9.7668
100+:
￥ 9.2785
500+:
￥ 8.9529
1000+:
￥ 8.9366
2000+:
￥ 8.8715
5000+:
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.0067 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 300 W

技术参数/阈值电压: 2.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-263

外形尺寸/封装: TO-263

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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