技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.02 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 40.0 A
技术参数/上升时间: 40 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2400pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3 W
技术参数/下降时间: 80 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2000
其他/制造应用: 电源管理
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN025-100D,118
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-252-3 |
NXP PSMN025-100D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V
|
||
STD40NF10
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS STD40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
|
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SUD40N10-25
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET 100V 40A 33W
|
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SUD40N10-25
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 |
MOSFET 100V 40A 33W
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|||
SUD40N10-25
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET 100V 40A 33W
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