技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0105 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 3 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30.0 V, -40.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 11.0 A, 60.0 A, -60.0 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252
外形尺寸/封装: TO-252
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-252-3 |
VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V
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SUD50P04-08-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V
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SUD50P04-08-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V
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SUD50P04-13L-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252 |
VISHAY SUD50P04-13L-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -50A, TO-252-3
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SUD50P04-13L-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
VISHAY SUD50P04-13L-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -50A, TO-252-3
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