技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.067 Ω
技术参数/耗散功率: 210 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/上升时间: 11 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3470pF @100V(Vds)
技术参数/下降时间: 9.3 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 210W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP42N65M5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
||
STW45N65M5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价