技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 3.5 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 330 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 60.0 A
技术参数/上升时间: 65 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 6750pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 330 W
技术参数/下降时间: 15 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 330W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/长度: 15.75 mm
外形尺寸/宽度: 5.15 mm
外形尺寸/高度: 20.15 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP210N75F6
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP210N75F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V
|
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