技术参数/耗散功率: 90W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/输入电容(Ciss): 850pF @50V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 90W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-251-3
外形尺寸/封装: TO-251-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP10NM65N
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V
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