技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 27.0 A
技术参数/漏源极电阻: 13.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 60W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±16.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 27.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 965pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 4 W
技术参数/耗散功率(Max): 60W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PowerVDFN-8
外形尺寸/封装: PowerVDFN-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSC080N03LSGATMA1
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | PG-TDSON-8 |
INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
|
||
BSC0909NS
|
英飞凌 | 功能相似 | - |
30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET
|
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