技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 70 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/上升时间: 14 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 690pF @100V(Vds)
技术参数/下降时间: 11 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 70W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3
外形尺寸/封装: TO-262-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STI21N65M5
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-262-3 |
N沟道650 V， 0.150 I© ， 17的MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， I²PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, TO-220, I²PAK, TO-247
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