技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 125W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.00 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1300pF @50V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 125W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3
外形尺寸/封装: TO-262-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STB14NM65N
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
|
||
STP14NM65N
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价