技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.19 Ω
技术参数/耗散功率: 130 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/上升时间: 7.5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1434pF @100V(Vds)
技术参数/下降时间: 7.5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 130W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3
外形尺寸/封装: TO-262-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STF20N65M5
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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