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型号： STB50NE10T4

描述： N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET

品牌： ST Microelectronics (意法半导体)

封装： TO-263-3

货期：

包装方式： Tape

标准包装数： 1

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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技术参数/额定电压(DC): 100 V

技术参数/额定电流: 50.0 A

技术参数/漏源极电阻: 21.0 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 180W (Tc)

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/漏源击穿电压: 100 V

技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 50.0 A

技术参数/输入电容(Ciss): 6000pF @25V(Vds)

技术参数/耗散功率(Max): 180W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: TO-263-3

外形尺寸/封装: TO-263-3

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Tape

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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