技术参数/频率: 150 MHz
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.75 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 750 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 750 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 5 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1835S-AA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
通用 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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