技术参数/频率: 120 MHz
技术参数/极性: N-Channel, NPN
技术参数/耗散功率: 700 mW
技术参数/增益频宽积: 120 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 160 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.7A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 5V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 400
技术参数/额定功率(Max): 700 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 700 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 5 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SC3332T-AA
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
Small Signal Bipolar Transistor
|
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