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描述: SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC,具有六线、4 位输入/输出接口,允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能,带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能,用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术,这些设备可提供卓越的擦除时间,与其他闪存备选设备相比,非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成,全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出,带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA(104 MHz 时典型),待机 15 μA(典型) 快速擦除时间 - 扇区/块擦除:18 ms(典型);芯片擦除 35 ms(典型) 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存,Microchip
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封 装: SOIC-8
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/时钟频率: 104 MHz

技术参数/存取时间(Max): 8 ns

技术参数/工作温度(Max): 105 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/电源电压: 2.7V ~ 3.6V

技术参数/电源电压(Max): 3.6 V

技术参数/电源电压(Min): 2.7 V

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/长度: 5.26 mm

外形尺寸/宽度: 5.25 mm

外形尺寸/高度: 1.98 mm

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 105℃ (TA)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: 3A991.b.1.a

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SST26VF016BT-104V/SM SST26VF016BT-104V/SM Microchip (微芯) 完全替代 SOIC-8
Flash Serial-SPI 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1Bit 8ns 8Pin SOIJ T/R
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