技术参数/频率: 270 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 450 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 400 @1mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 450 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 400
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 450 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/长度: 4.58 mm
外形尺寸/宽度: 3.86 mm
外形尺寸/高度: 4.58 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SS9014DBU
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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