技术参数/频率: 200 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 25 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 160 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 160
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | TO-92 |
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors / Capable of 1W / Collector-current 1.5A / Collector-base Voltage 40V
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SS8550DBU
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92 |
ON Semiconductor SS8550DBU , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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SS8550DTA
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
ON Semiconductor SS8550DTA , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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SS8550DTA
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
ON Semiconductor SS8550DTA , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | TO-92 |
ON Semiconductor SS8550DTA , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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