技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40
技术参数/直流电流增益(hFE): 120
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92
外形尺寸/长度: 4.58 mm
外形尺寸/宽度: 3.86 mm
外形尺寸/高度: 4.58 mm
外形尺寸/封装: TO-92
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | TO-92 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO
|
||
SS8050CBU
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8050CBU 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 120 hFE
|
||
SS8050CBU
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8050CBU 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 120 hFE
|
||
SS8050CBU
|
Freescale (飞思卡尔) | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8050CBU 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 120 hFE
|
|||
|
SS8050CBU
|
FC | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8050CBU 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 120 hFE
|
|||
SS8050CTA
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8050CTA 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 120 hFE
|
||
SS8050CTA
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8050CTA 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 120 hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价