技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.22 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 38.5 W
技术参数/阈值电压: 5 V
技术参数/输入电容: 2.86 nF
技术参数/栅电荷: 60.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/漏源击穿电压: 500 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 18.0 A
技术参数/上升时间: 165 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2860pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 38.5 W
技术参数/下降时间: 90 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 38.5W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.16 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 9.19 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF18N50D-E3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF18N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V
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SIHF18N50D-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF18N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V
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SIHF18N50D-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF18N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V
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STP15NK50ZFP
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP15NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V
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