技术参数/漏源极电阻: 0.02 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 6 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC
外形尺寸/封装: SOIC
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SQ4431EY-T1_GE3
|
Vishay Siliconix | 完全替代 | SO-8 |
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
|
||
SQ4431EY-T1_GE3
|
VISHAY (威世) | 完全替代 | SOIC-8 |
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
|
||
SQ4470EY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOIC |
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
|
||
SQ4470EY-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOIC |
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
|
||
SQ4942EY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC |
MOSFET,NN CH,W DIODE,40V,8A,SO8
|
||
SQ4942EY-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SO-8 |
MOSFET,NN CH,W DIODE,40V,8A,SO8
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价