技术参数/额定电压(DC): 55.0 V
技术参数/额定电流: 80.0 A
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 300W (Tc)
技术参数/输入电容: 6.79 nF
技术参数/栅电荷: 170 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 80.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 6790pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 300W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-220-3-1
外形尺寸/封装: TO-220-3-1
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP80NF55-06
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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STP80NF55-08
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
|
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