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型号： SPU09P06PL

描述： SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

品牌： Infineon (英飞凌)

封装： TO-251-3

货期：

包装方式： Tube

标准包装数： 1

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技术参数/额定电压(DC): -60.0 V

技术参数/额定电流: -9.70 A

技术参数/通道数: 1

技术参数/漏源极电阻: 400 mΩ

技术参数/极性: P-CH

技术参数/耗散功率: 42 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V

技术参数/漏源击穿电压: 60 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.70 A

技术参数/上升时间: 168 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 450pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 89 ns

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): 55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 42W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/封装: TO-251-3

外形尺寸/长度: 6.73 mm

外形尺寸/宽度: 2.38 mm

外形尺寸/高度: 6.22 mm

外形尺寸/封装: TO-251-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
RFD8P06LE	Intersil (英特矽尔)	功能相似		8A ， 60V ， 0.300欧姆，额定ESD ，逻辑电平，P沟道功率MOSFET 8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET	PDF
SPD09P06PL	Infineon (英飞凌)	功能相似	TO-252-3	SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor	PDF
SPD09P06PLG	Infineon (英飞凌)	功能相似	TO-252-3	60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET	PDF