技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 83W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.3A
技术参数/上升时间: 3.5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 790pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 83W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3-1
外形尺寸/封装: TO-262-3-1
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IPI65R600C6
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-262-3 |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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SPI07N65C3
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-262-3 |
新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated
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SPI07N65C3XKSA1
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | I2PAK-3 |
TO-262 N-CH 650V 7.3A
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