技术参数/额定电压(DC): 55.0 V
技术参数/额定电流: 50.0 A
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 136W (Tc)
技术参数/输入电容: 2.30 nF
技术参数/栅电荷: 69.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 50.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 2300pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 136 W
技术参数/耗散功率(Max): 136W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPP11N80C3
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
|
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