技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.25 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 5 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -2.80 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 250pF @20V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.65 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.65W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/宽度: 3.7 mm
外形尺寸/高度: 1.7 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, Power Management, Industrial, 电源管理, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSP250,115
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-261-4 |
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250,115, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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||
BSP250,115
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-261-4 |
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250,115, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
|
||
BSP250,135
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-261-4 |
BSP 系列 -30 V 250 mΩ 5 W P沟道 增强模式 D-MOS 晶体管 SOT-223
|
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BSP250,135
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-261-4 |
BSP 系列 -30 V 250 mΩ 5 W P沟道 增强模式 D-MOS 晶体管 SOT-223
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ZXMP3A16GTA
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-223 |
P沟道,Vdss=30V,Idss=4.6A
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