技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MPSA56
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
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Semtech Corporation | 类似代替 |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
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MPSA56
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Diodes (美台) | 类似代替 | TO-92-3 |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
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MPSA56
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
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MPSA56
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NTE Electronics | 类似代替 | TO-92 |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
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PSA-5
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | TO-92 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
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Hirose Electric (广濑) | 功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | TO-92 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
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