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型号： SIR870ADP-T1-GE3

描述： VISHAY SIR870ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V

品牌： Vishay Semiconductor (威世)

封装： SO-8

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

1+:

￥ 205.9041

10+:

￥ 200.5326

50+:

￥ 196.4146

100+:

￥ 194.9822

200+:

￥ 193.9079

500+:

￥ 192.4755

1000+:

￥ 191.5803

2000+:

￥ 190.6851

价格	￥ 205.9041	￥ 200.5326	￥ 196.4146	￥ 194.9822	￥ 193.9079
起批量	1+	10+	50+	100+	200+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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技术参数/针脚数: 8

技术参数/漏源极电阻: 0.0055 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 104 W

技术参数/阈值电压: 1.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/输入电容(Ciss): 2866pF @50V(Vds)

技术参数/下降时间: 9 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 104 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SO-8

外形尺寸/长度: 6.25 mm

外形尺寸/宽度: 5.26 mm

外形尺寸/高度: 1.12 mm

外形尺寸/封装: SO-8

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Computers & Computer Peripherals, Power Management, 工业, Industrial, 计算机和计算机周边, 电源管理

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

替代料

	型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
	SIR804DP-T1-GE3	Vishay Semiconductor (威世)	功能相似	PowerPAK SO	VISHAY SIR804DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V	PDF

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