技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.0065 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 5.4 W
技术参数/阈值电压: 1.8 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 60A
技术参数/上升时间: 10 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2350pF @50V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 83 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 5400 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/长度: 6.25 mm
外形尺寸/宽度: 5.26 mm
外形尺寸/高度: 1.12 mm
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2500
其他/制造应用: 电源管理, 工业
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFH5110TRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | QFN-8 |
INFINEON IRFH5110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4 V 新
|
||
IRFH5110TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | PQFN-8 |
INFINEON IRFH5110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4 V 新
|
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