技术参数/漏源极电阻: 3.4 mΩ
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 5 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 25 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 50A
技术参数/上升时间: 18 ns
技术参数/反向恢复时间: 27 ns
技术参数/正向电压(Max): 1.1 V
技术参数/输入电容(Ciss): 2645pF @10V(Vds)
技术参数/下降时间: 25 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 5000 mW
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2500
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIR888DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
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SIR888DP-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
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