技术参数/耗散功率: 5W (Ta), 27.7W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 1575pF @15V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | PowerPAK |
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
|
||
SIR330DP-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOIC-8 |
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价