技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 35W (Tc)
技术参数/输入电容(Ciss): 1920pF @100V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 35W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF22N60E-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF22N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
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SPA20N60C3XKSA1
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON SPA20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
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