技术参数/漏源极电阻: 0.222 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/漏源极电压(Vds): -20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -3.70 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.8 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: 1206
外形尺寸/长度: 3.1 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: 1206
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI5853DC-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | ChipFET-8 |
MOSFET 20V 3.6A 2.1W
|
||
SI5853DC-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | CHIP |
MOSFET 20V 3.6A 2.1W
|
||
SI5855DC-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | 8 |
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
|
||
SI5855DC-T1-E3
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 | 1206 |
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价