技术参数/漏源极电阻: 0.155 Ω
技术参数/极性: Dual P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -2.90 A
技术参数/热阻: 90℃/W (RθJA)
技术参数/额定功率(Max): 1.1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SMD-8
外形尺寸/长度: 3.1 mm
外形尺寸/宽度: 1.65 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: SMD-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTHD4401PT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SMD-8 |
功率MOSFET -20 V， -3.0 A，双P沟道， ChipFET Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET
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ZXMD63P02XTA
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Diodes (美台) | 功能相似 | MSOP-8 |
ZXMD63N02X 系列 20 V 0.27 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET -MSOP-8
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Zetex | 功能相似 | MSOP-8 |
ZXMD63N02X 系列 20 V 0.27 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET -MSOP-8
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ZXMD63P02XTA
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | TSSOP-8 |
ZXMD63N02X 系列 20 V 0.27 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET -MSOP-8
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