技术参数/漏源极电阻: 85.0 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.3W (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -4.30 A
技术参数/耗散功率(Max): 1.3W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: 1206
外形尺寸/封装: 1206
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay Siliconix | 功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1206-8, CHIPFET-8
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