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型号： SI4836DY-T1-E3
描述： Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8Pin SOIC N T/R
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： SO
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
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1000+:
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技术参数/漏源极电阻: 3.00 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 1.60 W

技术参数/漏源击穿电压: 12.0 V

技术参数/栅源击穿电压: ±8.00 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 25.0 A

技术参数/上升时间: 41 ns

技术参数/下降时间: 115 ns

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SO

外形尺寸/封装: SO

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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