技术参数/漏源极电阻: 0.003 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/阈值电压: 600 mV
技术参数/漏源极电压(Vds): 12 V
技术参数/漏源击穿电压: 12.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±8.00 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 25.0 A
技术参数/上升时间: 40 ns
技术参数/下降时间: 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC
外形尺寸/封装: SOIC
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4838DY-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
MOSFET 12V 25A 3.5W
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SI4838DY-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOIC-8 |
MOSFET 12V 25A 3.5W
|
||
SI4838DY-T1
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
MOSFET 12V 25A 3.5W
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||
SI4838DY-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOIC-8 |
Mosfet n-Ch 12V 17A 8-Soic
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