技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 0.08 Ω
技术参数/耗散功率: 830 mW
技术参数/阈值电压: 450 mV
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/额定功率(Max): 830mW, 83mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOP-6
外形尺寸/封装: TSOP-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI3585CDV-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TSOP |
VISHAY SI3585CDV-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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SI3588DV-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TSOP-6 |
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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SI3588DV-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TSOP |
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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