SI2316BDS-T1-GE3现货|PDF|数据手册|价格|代理商[SI2316BDS-T1-GE3替代|丝印|技术|方案开发]-亿配芯城

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

对比收藏手机购买

型号： SI2316BDS-T1-GE3

描述： Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3Pin SOT-23 T/R

品牌： Vishay Siliconix

封装： SOT-23-3

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

5+:

￥ 2.4233

25+:

￥ 2.2438

50+:

￥ 2.1181

100+:

￥ 2.0643

500+:

￥ 2.0284

2500+:

￥ 1.9835

5000+:

￥ 1.9655

10000+:

￥ 1.9386

价格	￥ 2.4233	￥ 2.2438	￥ 2.1181	￥ 2.0643	￥ 2.0284
起批量	5+	25+	50+	100+	500+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(4166) 起订量(5)

加入购物车立即购买

欢迎使用亿配芯城AI助手

芯片AI顾问

相关文件下载:

PDF

规格参数
PDF
丝印
评价晒单 （0 ）
商品提问 (0)
选型手册
适配器型号 (0)

技术参数/漏源极电阻: 80 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 1.66 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.50 A

技术参数/上升时间: 11 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 350pF @15V(Vds)

技术参数/下降时间: 7 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-23-3

外形尺寸/长度: 2.9 mm

外形尺寸/宽度: 1.6 mm

外形尺寸/高度: 1.45 mm

外形尺寸/封装: SOT-23-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Not Recommended

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
AO3424	Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)	功能相似	SOT-23-3	30V,3.8A,N沟道MOSFET	PDF
AO3424	SHIKUES (时科)	功能相似	SHIKUES(时科)	30V,3.8A,N沟道MOSFET
AO3424	Alpha (阿尔法)	功能相似		30V,3.8A,N沟道MOSFET	PDF