技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 117 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 830 mW
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.70 A
技术参数/上升时间: 7.5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 195pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 830 mW
技术参数/下降时间: 13 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 830mW (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IFA | 功能相似 |
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
|
|||
IRLML0030TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
IRLML2030TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
SI2304BDS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-236 |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3Pin SOT-23 T/R
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价