技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 280mW (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 250 mA
技术参数/耗散功率(Max): 280mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SC-70-3
外形尺寸/封装: SC-70-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI1330EDL-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 完全替代 | SOT-323-3 |
SI1330EDL-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 0.24A, 60V, 3Pin SOT-323
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SSM3K7002BFU
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Toshiba (东芝) | 功能相似 | SOT-323 |
SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻
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