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型号: SCT3120AL
描述: ROHM SCT3120AL Power MOSFET, SiC, N Channel, 21A, 650V, 0.12Ω, 18V, 5.6V New
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技术参数/漏源极电阻: 0.12 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 103 W

技术参数/阈值电压: 5.6 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-247

外形尺寸/封装: TO-247

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/REACH SVHC版本: 2016/06/20

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