技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 16.7 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 78 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/上升时间: 22 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2300pF @50V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 78 W
技术参数/下降时间: 5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: TDSON-8
外形尺寸/长度: 5.9 mm
外形尺寸/宽度: 5.9 mm
外形尺寸/高度: 1.27 mm
外形尺寸/封装: TDSON-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies (UPS), Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FDMS3672
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | QFN-56 |
UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS3672
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | Power-56-8 |
UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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