技术参数/触点数: 3
技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 3.80 A
技术参数/保持电流: 30 mA
技术参数/保持电流(Max): 30 mA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Discontinued at Digi-Key
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N6504
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | CASE 221A |
Thyristor SCR 50V 250A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
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2N6504
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Littelfuse (力特) | 功能相似 |
Thyristor SCR 50V 250A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
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2N6508
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Advanced Semiconductor | 功能相似 | TO-220 |
Thyristor SCR 600V 250A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
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Z-TEK (力特電子) | 类似代替 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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2N6508G
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Littelfuse (力特) | 类似代替 | TO-220-3 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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2N6508G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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2N6508G
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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2N6509G
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-220 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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