技术参数/额定电流: 9.30 A
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 14 mΩ
技术参数/极性: N-Channel, P-Channel
技术参数/耗散功率: 2.5 W
技术参数/阈值电压: 1.6 V
技术参数/输入电容: 1.31 nF
技术参数/栅电荷: 13.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 30V, 20V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.60 A
技术参数/上升时间: 15.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1958pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.5 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.9 mm
外形尺寸/高度: 1.575 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4501H
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOIC-8 |
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDS4501H_NL
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC |
Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
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