技术参数/触点数: 3
技术参数/额定电压(DC): 400 V
技术参数/额定电流: 10.0 A
技术参数/保持电流: 40.0 mA
技术参数/保持电流(Max): 40 mA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
|||
2N6507G
|
Z-TEK (力特電子) | 完全替代 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
|||
|
|
Z-TEK (力特電子) | 完全替代 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
|||
2N6508G
|
Littelfuse (力特) | 完全替代 | TO-220-3 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
||
2N6508G
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-220-3 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
||
|
2N6508G
|
Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
|||
2N6509G
|
NXP (恩智浦) | 完全替代 | TO-220 |
相位控制闸流晶体管，ON Semiconductor ### 闸流晶体管 - ON Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价